Intel сравнила свой будущий техпроцесс с TSMC

money

На состоявшейся на днях 23-й ежегодной технологической конференции (организованной Credit Suisse) глава Intel Боб Суон сделал сравнение будущего техпроцесса компании с TSMC. Если дополнить его слова данными о нынешнем и прошлых техпроцессах ведущих полупроводников компаний мира, а также раскрытой на IEDM 2019 дорожной картой Intel (это сделал партнер компании, ASML), то таблица техпроцессов выглядит так (в скобках указаны год релиза и коэффициент увеличения плотности транзисторов по сравнению с предыдущим поколением):

IntelTSMC22 нм (2011, 2.4x)16 нм (2015)14 нм (2014, 2.7x)10 нм (2017)10 нм (2019, 2.0x)7 нм (2018)7 нм (2021)5 нм (2020, 1.84x)5 нм (2023)3 нм (2022)3 нм (2025)2 нм (2027)1.4 нм (2029)

Как уже рассказывал Gadgets News, название техпроцесса является условным. Самым миниатюрным элементом транзистора является толщина ребра (Fin width), но действие закона Мура традиционно привязывают к толщине затвора (Gate length). В техпроцессах Intel эти показатели менялись следующим образом:

22-нм14-нм10-нмFin width18 нм8 нм7 нмGate length30 нм20 нм18 nm

Дальнейшая миниатюризация транзисторов (и соответствующее увеличение плотности размещения на кристалле процессора) достигается за счет уменьшения размера их прочих, более крупных элементов.

В нашей первой таблице можно видеть, что в 2017 TSMC догнала Intel, а год спустя вырвалась вперед. Причем нельзя сказать, что позиции компаний сравнялись в 2019 — вышедший этом году 10-нм Ice Lake пока предназначен лишь для ноутбуков. Между тем в 3-ем поколении семейств Ryzen и Threadripper, а также во 2-м поколении EPYC используется как раз 7-нм техпроцесс от TSMC — что обеспечило главному конкуренту Intel, AMD, дополнительное преимущество на рынке десктопных и серверных процессоров.

SemiWiki


Источник

C A R A M E L
ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ