Samsung рассказала о транзисторной технологии MBCFET, которая заменит FinFET в 3-нм процессорах

money

На днях в рамках Foundry Forum компания Samsung анонсировала новую транзисторную технологию, призванную придти на смену FinFET в её будущих 3-нм процессорах. А сегодня она выпустила пару пресс-релизов с некоторыми подробностями.

Напомню, что последние десятилетия полевые транзисторы создавались по планарной (плоской) технологии с одним затвором. Но по мере миниатюризации техпроцесса (20-нм и меньше) длина токопроводящего канала становится сравнимой с размером затвора, и в результате возникают утечки тока. Восстановить эффективность затвора можно путем применения к нему более высокого напряжения, но в этом случае возрастает энергопотребление.

Одним из наиболее эффективных решений этой проблемы несколько лет назад стал переход с планарной архитектуры транзисторов на трехмерные FinFET с тремя вертикально расположенными затворами. И вот теперь, приближаясь к очередным физическим пределам на уровне 3-нм техпроцесса, Samsung предлагает новое решение — MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Это версия разработанной достаточно давно концепции GAA (Gate-All-Around), транзистора с четырьмя затворами, со всех сторон окружающими токопроводящий канал.

И если GAA принято именовать нанопроводом, то свою модификацию Samsung назвала нанослоем:

Samsung заявляет, что по сравнению с 7-нм технроцессом, её 3-нм техпроцесс 3GAE обеспечивает 45% уменьшение площади кристалла, а также 50% снижение энергопотребление или 35% рост производительности. Т.н. рисковое производство таких процессоров (разумеется, на базе EUV, фотолитографии в глубоком ультрафиолете) ожидается в 2021 году, а массовое — в 2022.

Samsung (1) (2)


Источник

money